ஆஃபினியம் சிலிக்கேட்டு
| பெயர்கள் | |
|---|---|
| விருப்பத்தெரிவு ஐயூபிஏசி பெயர்
Hafnium(IV) silicate | |
| முறையான ஐயூபிஏசி பெயர்
ஆஃபினியம்(4+) சிலிக்கேட்டு | |
| இனங்காட்டிகள் | |
| 13870-13-8 | |
| ChemSpider | 16470992 
|
InChI
| |
| யேமல் -3D படிமங்கள் | Image |
| பப்கெம் | 17979268 |
| |
| பண்புகள் | |
| HfO4Si | |
| வாய்ப்பாட்டு எடை | 270.57 g·mol−1 |
| தோற்றம் | நாற்கோணப் படிகம்[1] |
| அடர்த்தி | 7.0 கி/செ.மீ3 |
| உருகுநிலை | 2,758 °C (4,996 °F; 3,031 K) [1] |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
ஆஃபினியம் சிலிக்கேட் (Hafnium silicate) என்பது HfSiO4 என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடு கொண்ட சிலிசிக் அமிலத்தின் ஆஃபினியம்(IV) உப்பாகும். அணு அடுக்குப் படிவுகள் மற்றும் சிர்கோனியம் சிலிக்கேட்டு அடுக்குப் படிவுகள் மூலம் ஆஃபினியம் சிலிக்கேட் படலங்கள் வளருகின்றன அல்லது உலோகக் கரிம வேதியியல் ஆவிப் படிவு முறையில் ஆஃபினியம் சிலிக்கேட் தயாரிக்கப்படுகிறது. நவீன குறைக்கடத்தி கருவிகளில் , சிலிக்கன் ஈராக்சைடிற்கு மாற்றாக உயர் மின்காப்பு மாறிலியாகப் ஆஃபினியம் சிலிக்கேட் பயன்படுத்தப்படுகிறது[2]. ஆஃபினியம் ஆக்சைடுடன் சிலிக்கனைச் சேர்ப்பதால் ஆற்றல் இடைவெளி அதிகரித்து மின்காப்பு மாறிலியின் மதிப்பு குறைகிறது. மேலும், படிக அமைப்பில்லாத அடுக்குகளின் படிக வெப்பநிலை அதிகரிப்பும் உயர் வெப்பநிலைகளில் சிலிக்கனுடனான வெப்ப நிலைப்புத் தன்மையையும் அதிகரிக்கச் செய்கிறது[3]. கருவிகளின் வெப்ப நிலைப்புத்தன்மையையும் மின்னியல் பண்புகளை அதிகரிக்கவும் சில சமயங்களில் ஆஃபினியம் சிலிக்கேட்டுடன் நைட்ரசன் சேர்க்கப்படுவதும் உண்டு.
மேற்கோள்கள்
[தொகு]- ↑ 1.0 1.1 RubberBible92nd|page=4-66
- ↑ Mitrovic, I.Z.; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. (April 2007). "Electrical and structural properties of hafnium silicate thin films". Microelectronics Reliability 47 (4-5): 645–648. doi:10.1016/j.microrel.2007.01.065. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271407000741.
- ↑ J.H. Choi et al. (2011). "Development of hafnium based high-k materials—A review". Materials Science and Engineering: R 72 (6): 97–136. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927796X10001683.